В этом посте:

ColibriComstar – 3G-нетбук за 24 тысячи рублей
Трёхмерные чипы памяти – новые конкуренты жёстким дискам
На CES 2010 покажут корпус Thermaltake V5 Black Edition
Две Mini-ITX платы Foxconn на платформе Intel Pine Trail-D
Intel и Micron на пути к лидерству в области NAND-технологий

---

ColibriComstar – 3G-нетбук за 24 тысячи рублей

25.12.2009 [20:00], Марат Габитов С получением сотовыми операторами лицензий на развёртывание 3G-сетей на территории Москвы продажи соответствующих устройств с поддержкой нового стандарта наверняка увеличатся. Так что появление в продаже фирменного нетбука компании «КОМСТАР – Объединенные ТелеСистемы» можно считать вполне своевременным. С сегодняшнего дня нетбук под названием ColibriComstar поступает на прилавки отечественных магазинов по цене 23900 рублей. Такая высокая цена отчасти объясняется наличием модулей WiMAX и 3G (HSDPA/GPRS/EDGE), что позволяет быть всегда на связи практически в любой точке нашей планеты. Остальные характеристики довольно обыденны: процессор Intel Atom Z270 1,6 ГГц, SSD-диск ёмкостью 16 Гб, оперативная память 1 Гб. При компактных габаритах (275х179х19,7 мм) и небольшом весе (935 г) нетбук оснащен ЖК-дисплеем с диагональю 10,1 дюймов и разрешением 1024х576 точек. Важным функциональным дополнением являются встроенные веб-камера с разрешением 0,3 мегапикселя и микрофон. Только покупатели нетбука ColibriComstar также имеют возможность подключиться к тарифному плану «Онлайнер» от МТС с льготными параметрами. В рамках этого предложения стоимость интернет-трафика в сетях МТС составит 1 рубль за 1 Мб. Кроме того, абоненты могут подключить дополнительно пакет 1 Гб трафика с неограниченным сроком действия.  Материалы по теме: - Acer Ferrari One - вместо сердца пламенный мотор; - MSI X-Slim X320 – доступный тонкостиль; - MSI Wind12 U210 vs Compaq Mini 311c - AMD и NVIDIA стирают грани. Рубрики: мобильные телефоны, смартфоны, сотовая связь Теги: нетбук, комстар, 3G, WiMAX

Трёхмерные чипы памяти – новые конкуренты жёстким дискам

25.12.2009 [12:00], Денис Борн Учёные из Университета Аризоны (Arizona State University) разработали элегантный метод существенного повышения емкости электронных чипов компьютерной памяти. Возглавляемая профессором инженерии электронных систем и директором Центра прикладной наноионики (Center for Applied Nanoionics) Михаэлем Козики (Michael Kozicki) группа сотрудников продемонстрировала "технологию ионной памяти", которая является одним из кандидатов на использование в будущих устройствах хранения информации. Дополнительное преимущество разработки – это отсутствие потребности в экзотических материалах для производственного процесса. Как объясняет Козики, его работа открывает путь к недорогим, ёмким устройствам хранения, что достигается укладкой слоёв памяти друг на друга внутри одного чипа. Методика в конечном итоге позволит размещать в единственной микросхеме столько же данных, сколько способны хранить жёсткие диски. Портативная электроника при этом станет ещё более компактной, стойкой к воздействию нагрузок и будет экономнее расходовать заряд батарей. Технология является усовершенствованным вариантом разработки двухлетней давности, способной заменить флеш-память с использованием материалов, повсеместно применяемых полупроводниковой индустрией. В последних экспериментах исследователи добавили к ячейкам памяти не менее распространённый кремний. Новый чип уже был продемонстрирован на международном симпозиуме по электронным материалам, прошедшем на Тайване. Козики считает, что с текущими технологиями производства индустрия стремительно приближается к физическому пределу для устройств хранения. Это побуждает учёных искать новые технологии, и один из вариантов – укладка слоёв ячеек памяти. Концепцию можно описать по аналогии с коробками в небольшой комнате. Количество таких "ячеек" значительно возрастает для той же площади, если использовать преимущества трёх измерений и располагать коробки также в вертикальной плоскости. Идея довольно проста, и нечто подобное также предлагается для процессоров, где друг на друге должны размещаться вычислительные ядра, образуя многоядерный трёхмерный чип. До сих пор методика для памяти не применялась в связи с невозможностью изолировать накладываемые слои. Каждая ячейка содержит элемент хранения и компоненты, обеспечивающие доступ к нему для чтения и записи. "Ранее при совмещении ячеек памяти вместе невозможно было получить доступ к одной без одновременного затрагивания других, поскольку они имели электрическое соединение. Мы же добавили изоляторы, разделяющие все ячейки, – поясняет Козики. До сих пор компоненты доступа встраивались в кремниевую подложку. – Но если сделать это для одного слоя памяти и затем добавить следующий, негде разместить схемы доступа. Кремний уже использован для первого слоя, получается единственный кристалл". Команда Козики пыталась найти способ встроить изолирующий диод в ячейку памяти. Исследователям удалось достичь цели без обычного для таких случаев включения в состав схемы нескольких слоёв материалов, а лишь заменой одного на другой. Теперь вместо встраивания компонентов доступа для ячеек в подложку они помещаются в располагающиеся друг на друге слои памяти, куда включены разные типы кремния. "Вместо одного транзистора в подложке, контролирующего каждую ячейку, у нас есть ячейка со встроенным диодом для доступа, что и позволяет укладывать столько слоёв памяти, сколько возможно для данной конструкции. Всё решилось устранением нижнего электрода и заменой его кремнием", - говорит Козики. Таким образом, ёмкость памяти существенно увеличивается. По мнению ученого, подобная технология – единственная для полупроводниковой памяти, способная конкурировать с жёсткими дисками в плане стоимости и объёма хранимых данных. Материалы по теме: - Самые перспективные технологии 2009-2010 гг.; - Будущее компьютерной памяти: 5 революционных технологий; - Есть ли у жестких дисков реальные конкуренты?. asunews.asu.edu Рубрики: жесткие диски, контроллеры, системы хранения данных, интерфейсы интересности из мира HiTech память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. нанотехнологии Теги: 3D, трёхмерный, память, флеш, чип

На CES 2010 покажут корпус Thermaltake V5 Black Edition

25.12.2009 [12:02], Руслан Цап Желая подогреть интерес потенциальных покупателей, компания Thermaltake Technology в преддверии открытия январской международной выставки CES 2010 в Лас-Вегасе создала специальный мини-сайт, посвящённый продуктам, подготовленным ею к показу на этом мероприятии. Среди запланированных к демонстрации экспонатов нами был замечен новый высококлассный компьютерный корпус Thermaltake V5 Black Edition, ориентированный на заядлых геймеров. Согласно обнародованной информации, эта модель окрашена в чёрный цвет как снаружи, так и внутри. На боковой стенке новинка имеет небольшое прозрачное окошко, а также множество вентиляционных отверстий, образующих круглую по очертаниям сетку. Для удобства переноски в изделии предусмотрена специальная усиленная ручка. В корпусе присутствуют девять 5,25-дюймовых отсеков и съёмная корзина для 3,5-дюймовых накопителей. Внутри вместилища установлены два малошумящих вентилятора, а именно один 200-мм сверху с голубой светодиодной подсветкой и один 120-мм сзади. Среди выведенных наружу интерфейсов, помимо портов USB и пары стандартных аудиоразъёмов, присутствует ещё и порт eSATA. В настоящий момент пока нет точной информации о том, когда и по какой цене данный продукт появится в продаже. Материалы по теме: - Thermaltake V3 Black Edition – отличный корпус для экономных; - NZXT HADES – корпус высшего качества из серии Crafted; - Cooler Master ATCS-840 - стильный Hi-End. Thermaltake Technology Рубрики: системные блоки, корпуса, корпусные панели, аксессуары Теги: корпус, Thermaltake, V5, Black, Edition

Две Mini-ITX платы Foxconn на платформе Intel Pine Trail-D

25.12.2009 [18:41], Руслан Цап На официальном сайте компании Foxconn появились описания сразу двух материнских плат формата Mini-ITX, в основу которых легла недавно представленная «атомная» платформа Intel нового поколения под кодовым названием Pine Trail-D для неттопов. Главное отличие между моделями Foxconn D41S и Foxconn D51S заключается в том, что первая изначально укомплектована одноядерным процессором Intel Atom D410 с установленным на нём алюминиевым радиатором, тогда как вторая имеет на борту двухъядерный чип Intel Atom D510, охлаждаемый активным способом. При этом в каждом из CPU присутствует интегрированное графическое ядро Intel GMA 3150, а также встроенный контроллер памяти. Что же касается прочих технических характеристик изделий, то они таковы: Чипсет Intel NM10 Express; Два 240-контактных DIMM-слота для размещения до 4 Гб двухканальной оперативной памяти DDR2 с частотой 800/667 МГц; Один слот PCI; Пара портов SATA II; Аудиокодек, обеспечивающий вывод 5.1-канального звука HD Audio; Гигабитный Ethernet-контроллер; Расположенные на задней панели два порта PS/2, последовательный порт, параллельный порт, четыре порта USB 2.0, разъём RJ-45, VGA-порт, три стандартных аудиоразъёма. В продажу данные продукты поступят, скорее всего, в январе 2010 года, однако о предполагаемых ценах на них пока ничего не известно. Материалы по теме: - ECS TIGT-I: плата со встроенным чипом Intel Atom D510; - Дебют процессоров Intel Atom со встроенной графикой. Foxconn Рубрики: процессоры системные платы Теги: материнская, плата, Foxconn, D41S, D51S, Pine, Trail-D

Intel и Micron на пути к лидерству в области NAND-технологий

26.12.2009 [12:54], Денис Борн Intel и Micron Technology собираются возвратить себе лидерство в технологической гонке по выпуску передовых чипов флеш-памяти. На прошедшей недавно конференции Micron заявила о скором выходе образцов NAND, изготовленных по 2х-нм техпроцессу. С новой продукцией партнёры с общим активом в виде Flash Technologies LLC намерены обойти Samsung и Toshiba, занимающих сейчас главенствующие позиции на рынке. Таким образом, слухи о возможном уходе ведущего чипмейкера из сектора NAND пока не подтверждаются. Обе компании имеют в ассортименте своей продукции SSD-диски, и по мнению аналитиков Intel совершает удачные шаги по продвижению накопителей. К началу декабря Micron зафиксировала первую прибыль за три года при объёме продаж $1,74 млрд. В первом квартале 2010 финансового года, завершившемся 3 декабря, продажи флеш-памяти выросли на 21%, а DRAM – на 50% за тот же период. Некоторое время высокотехнологичный дуэт возглавлял производственное соревнование, поставляя основанные на 34-нм техпроцессе продукты. Затем в апреле Toshiba перехватила инициативу, запустив 32-нм производственные линии. В августе борьба разгорелась за технологию памяти с тремя битами (х3) на ячейку – Intel и Micron анонсировали первые предложения в данном сегменте чипов. Технология NAND х3 с многоуровневыми ячейками (multi-level cell, MLC) базируется на 34-нм производстве. В декабре южнокорейский гигант Samsung Electronics объявил о начале выпуска 3-битной памяти с MLC, изготавливаемой по технологии "30-нм класса". Ёмкость чипов составляет 32 Гбит. Теперь же Intel и Micron готовятся к появлению первых 2х-нм микросхем. Лидером рынка по-прежнему остаётся Samsung, Toshiba – сразу за ней и постепенно увеличивает долю, как свидетельствует исследование iSuppli. Тем временем индустрия NAND приходит в норму после периода падения. По словам аналитика Gartner Джозефа Ансворта (Joseph Unsworth), всего за год произошли заметные изменения. После катастрофического 2008 г. поставщики были в отчаянии, но рациональные решения позволили восстановить баланс в нынешнем году. Общий прогноз многообещающий как на следующий год, так и на 2011 г. В начале декабря контрактные цены на NAND слегка упали, однако по сравнению с тем же периодом прошлого года цены на память с MLC практически удвоились. Текущая стоимость 16-Гбит микросхем составляет около $4,68, чипы той же ёмкости в 2008 г. отпускались по $2,25. Это показывает не только возвращение в норму рынка, но и действенность мер по преодолению проблемы перепроизводства. В оставшиеся дни последнего месяца года цены не будут показывать заметных колебаний, но в следующем году доходы поставщиков флеш-памяти по прогнозам вырастут более чем на 20%. Материалы по теме: - Micron: положительный баланс по итогам квартала; - Toshiba преследует Samsung на рынке NAND, Intel позади; - В 2010 году ёмкая флеш-память будет в дефиците. eetimes.com Рубрики: рынок IT память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. Комментарии последних событий Теги: NAND, рынок, Intel, Micron, память

---